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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de Recuperação Rápida > Diodos de recuperação rápida de alta potência 4500V

Diodos de recuperação rápida de alta potência 4500V

Diodos de recuperação rápida de alta potência 4500V

Preço unitário: USD 15 - 25 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-SD233N/R-45

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: CHINA

    Habilidade da fonte: 5000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

DIODOS RÁPIDOS DE RECUPERAÇÃO

PSTSD233N / R

Características

?? Série de diodo de recuperação FAST de alta potência

?? 1,0 a 2,0 μs de tempo de recuperação

?? Classificações de alta voltagem até 5000V

?? Alta capacidade atual

?? Ativar e desativar as características otimizadas

?? Recuperação de baixa velocidade

?? Recuperação reversa rápida e suave

?? Encapsulamento ligado por compressão

?? Versão Stud B-8

?? Temperatura máxima de junção 125 ° C

Aplicações Típicas

?? Diodo de amortecimento para GTO

?? Diodo de alta tensão de roda livre

?? Aplicações rápidas de retificadores de recuperação

1


Condução para a frente

Parameters

PSTSD233N/R

Units

Conditions

IF(AV              Max. average forward current

@ Case temperature

250

A

180° conduction, half sine wave

60

°C

IF(RMX)           Max. RMS forward current

390

A

IFSM               Max. peak, one-cycle forward

non-repetitive surge current

5500

A

t = 10ms

No voltage

reapplied

Initial TJ =TJmax.

5760

A

t = 8.3ms

I2t             Maximum I2t for fusing

150000

A2s

t = 10ms

No voltage

reapplied

140000

A2s

t = 8.3ms

I2t          Maximum I2t for fusing

1500000

KA2√s

I2t for time tx = I2t x tx ;

0.1 tx 10ms, VRRM = 0V

VFM                Maximum forward voltage drop

3.0

V

TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)

IRRM               Max. DC reverse current

10.0

μA

TJ = 25 oC, per diode at VRRM

Trr

5

μs

Classificações de voltagem

Type numbe

Voltage Code

VRRM , max repetitive peak AC rev. voltage TJ = TJ max.

V

VRSM , max non-repetitive peak AC rev. voltage

TJ = TJ max.

V

IRRM max.

@ rated VRRM TJ = TJ max. mA

RRM max. D.C. rev. curr.

@ T= 125°C

(μA)

PSTSD233N/R

20

26

30

35

40

45

50

2000

2600

3000

3500

4000

4500

5000

2100

2700

3100

3600

4100

4600

5100

20

20

20

20

20

20

20

500

500

500

500

500

500

500



Tabela de contornos

2






Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de Recuperação Rápida

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