| Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Tempo de entrega: | 30 dias |
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Modelo: YZPST-ZP3500A2200V
produtividade: 100
marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origem: China
Habilidade da fonte: 500
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
Código HS: 85411000
porta: SHANGHAI
Retificador rápido do tubo da recuperação ZP3500A
YZPST-ZP3500A2200V
RETIFICADOR RÁPIDO DO RECUPERADOR DA RECUPERAÇÃO DO PODER ELEVADO
. Toda a estrutura difusa
. Desempenho de comutação rápida
. Recuperação Reversa Suave
. Pacote hermético cerâmico robusto
. Dispositivo montado sob pressão
CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS
Bloqueio reverso
|
Device Type VRRM (1) VRSM (1) |
||
|
ZP3500A |
2200 |
2300 |
V RRM = R e p etiti v e p e k re v ers e vo lta g e
V RSM = Não n re p etiti v e p e k re v ers e vo lta g e ( 2 )
Não es :
A ll ra ti ng s ar e spec i f e d para Tj = 2 5 o C un l es s o t ele r w i s e s t a t ed.
(1 ) A ll vo lt ag e ra ti ng s ar e spec i f e d para um n app li ed
50 Hz / 60 zH z s i nuso i da l wavefo rm ove r t ele t Empera t ur e tocou e -4 0 para +15 0 o C.
(2 ) 1 0 ms . max . pu l s e que eu d th
(3 ) Max eu mu m va l u e para T j = 15 0 o C. (4 ) Se e parame t e r def i n iti o n seja l o w :
Vazamento reverso de pico repetitivo IRRM 10 mA 75 mA (3)
Condução - no estado
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Parameter |
Symbol |
Min |
Max. |
Typ |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IF(AV) |
|
3500 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc =70oC |
|
RMS value of on-state current |
IFRMS |
|
5400 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
IFSM |
|
68000
60000 |
|
A A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 150 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 150 oC |
|
I square t |
I2t |
|
1.3x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10 msec |
|
Peak on-state voltage |
VFM |
|
1.50 |
|
V |
IFM = 3000 A; |
|
Reverse Recovery Current (4) |
IRM(REC) |
|
|
|
A |
IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/µs; Tjmax |
|
Reverse Recovery Charge (4) |
Qrr |
|
|
|
µC |
IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/µs; Tjmax |
|
Reverse Recovery Time (4) |
tRR |
|
* |
|
µs |
|
|
Parameter |
Symb ol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RΘ (j-c) |
|
0.023 0.046 |
|
o C/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistance - case to sink |
RΘ (c-s) |
|
.010 .020 |
|
o C/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Mounting force |
P |
6000 |
8000 |
|
lb. |
|
|
Weight |
W |
|
|
|
oz. g |
|
* H oun ti n g s u s rface s moo t h , fla t a n d g rease d
ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO
Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de Recuperação Rápida
Mr. John chang