$10.51-19 Piece/Pieces
$7.5≥20Piece/Pieces
| Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| transporte: | Ocean,Air |
| porta: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-SK70KQ08
marca: Yzpst
Inscrição: Alta frequência, Espelho atual
Tipo De Fornecimento: Fabricante original, ODM, Agência, outro
Materiais De Referência: Ficha de dados, foto, outro
Tipo De Embalagem: Montagem em Superfície, Throught Hole
Método De Instalação: Através do orifício, Montagem em Superfície
Função FET: Carboneto de silício (SiC), Padrão, Super Junction, GaNFET (nitreto de gálio), Não aplicável
Configuração: solteiro, Tipo T, Interruptor único, Não aplicável
VRRM/VDRM Tvj=125℃: 800V
VRSM/VDSM Tvj=125℃: 900V
IRRM/IDRM Tvj=125℃: 5mA
IT(AV) TC=85℃: 55A
IT(RMS) TC=85℃, Sin180°: 80A
ITSM 10ms, Tj=25℃: 1100A
I2t: 6050A2S
VTM: 1.7V
| Unidades de venda | : | Piece/Pieces |
| Baixar | : |
|
Compatível com Rohs
Recursos do produto s
Design compacto
Uma montagem de parafuso
Transferência de calor e isolamento através do DBC
Passivação de vidro Fichas de tiristor
Corrente de baixo vazamento
App Li Cat I em S
Iniciantes suaves
Controle de temperatura
Controle de luz
A bs o l u m a x i m u m r a t i ng s ( tc = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Values | Unit |
| VRRM | Maximum Repetitive Reverse Voltage | Tvj=125℃ | 800 | V |
| VDRM | Maximum repetitive peak off-state voltage | |||
| VRSM | Non-Repetitive Reverse Voltage | Tvj=125℃ | V | |
| VDSM | Non-repetitive peak off-state voltage | 900 | ||
| IRRM | Maximum Repetitive Reverse Current | Tvj=125℃ | 5 | mA |
| IDRM | Maximum repetitive peak off-state Current | |||
| IT(AV) | Mean On-state Current | TC=85℃ | 55 | |
| IT(RMS) | RMS Current | TC=85℃, sin180° | 80 | A |
| ITSM | Non Repetitive Surge Peak On-state Current | 10ms, Tj=25℃ | 1100 | |
| I2t | For Fusing | 10ms, Tj=25℃ | 6050 | A2S |
| VTM | Peak on-state voltage | ITM=150A | 1.7 | V |
| dv/dt | critical rate of rise of off-state voltage | VD =2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ | 1000 | V/us |
| IGT | gate trigger current max. | 80 | mA | |
| VGT | gate trigger voltage max. | 1.5 | V | |
| IH | gate trigger current | 200 | mA | |
| IL | latching current | 500 | mA | |
| Viso | AC 50Hz RMS 1min | 2500 | V | |
| TJ | Junction Temperature | -40 to +125 | ℃ | |
| TSTG | Storage Temperature Range | -40 to +125 | ||
| RthJC | Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) | 0.7 | ℃ /W | |
| Torque | mounting force, Module to Sink | 2.5 | Nm | |
| Tsolder | Teminals,10s | 260 | ℃ | |
O UTLINES
Número De Telefone: 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
site: https://pt.yzpst.com
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