YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Módulo de Tiristor ROHS Compility 160A
Módulo de Tiristor ROHS Compility 160A
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Módulo de Tiristor ROHS Compility 160A
Módulo de Tiristor ROHS Compility 160A

Módulo de Tiristor ROHS Compility 160A

$16.510-199 Bag/Bags

$13.5≥200Bag/Bags

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MCO150-16I01

marcaYzpst

InscriçãoNão aplicável, Amplificador

Tipo De Fornecimentooutro

Materiais De Referênciafoto, Ficha de dados, outro

Tipo De EmbalagemMontagem em Superfície

Método De InstalaçãoNão aplicável

Função FETNão aplicável

ConfiguraçãoNão aplicável

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

IRRM8mA

IT(AV)160A

IT(RMS)251A

ITSM2300

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Bag/Bags
Exemplo de imagem :
Yzpst-mco150-16i01.
Descrição do produto


160A 1600V

Módulo Tiristor
Compatível com Rohs

YZPST-MCO150-16I01



CARACTERÍSTICAS DO PRODUTO
Placa de base: cobre
Passivação de vidro Fichas de tiristor
Corrente de baixo vazamento
DBC internamente isolado
Ciclismo de energia avançado
FORMULÁRIOS
Softstart CA Motor Control
Controle de temperatura
Controle de energia CA.
Iluminação e controle de temperatura
RoHS Compliant 160A thyristor module


A bs o l u m a x i m u m r a t i ng s ( tc = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 8 A
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 160
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180° 251 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 2300
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 125 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=160A 1.4 V
ITM=480A 1.8
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 100 A
VGT gate trigger voltage     max. 1.3 V
IH gate trigger current 220 A
IL latching current 350 A
Viso A  50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +125
TSTG Storage Temperature Range -40 to +125
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0. 13  /W
mounting torque Module to Sink 1. 1-1.5 Nm
Terminal 1. 1-1.5

O UTLINES

160A thyristor module









苏ICP备05018286号-1
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