YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível
Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível
Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível
Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível
Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível
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Alta taxa de dv/dt para 126 2p6m 2a scr sensível

$4550-999 Others

$39≥1000Others

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Air
porta:SHNAGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-2P6M 10-30UA

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

IT(RMS)20A, 2A

IGT≤200μA

VDRM600V

VRRM600V

ITSM20A

I2t2A2s

DI/dt50dI/dt

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : 1000 pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Scr 2p6m 10-30ua to126cu
Descrição do produto

2p6m 2 a Confidencial Scrs


DESCRIÇÃO:

A série 2P6M 2A SCR fornece alta taxa de dv/dt

com forte resistência à interface eletromagnética.

Eles são especialmente recomendados para uso no disjuntor de corrente residual, cabelos lisos, igniter etc.

YZPST-2P6M TO-126

PRINCIPAL CARACTERÍSTICAS:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

ABSOLUTO MÁXIMO Classificações:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (TJ = 25 ℃, a menos que especificado de outra forma)

Symbol Value
Test Condition MIN TYPE MAX Unit
IGT VD=12V, RL=33Ω - 50 200 μA
VGT - 0.6 0.8 V
VGD VD=VDRM Tj=110 0.2 - - V
IH IT=50mA - - 5 mA
IL IG=1.2IGT - - 6 mA
dV/dt VD=2/3×VDRM   Tj=110 RGK=1KΩ 20 - - V/ µs

TÉRMICO Resistências

Symbol Test Condition Value Unit
TO-251-4R/TO-252-4R 6.5
TO-92 10
TO-126 7
junction to case(AC) SOT-89-3L 8.3 /W
Rth(j-c) SOT-223-3L 7.3

PACOTE MECÂNICO DADOS

YZPST-2P6M 10-30UA

苏ICP备05018286号-1
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