Níveis de disparo altamente sensíveis X0405 SCR
$0.11≥1000Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Quantidade de pedido mínimo: | 1000 Piece/Pieces |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | Shanghai |
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Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
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porta: | Shanghai |
Modelo: YZPST-X0405
marca: YZPST
Unidades de venda | : | Piece/Pieces |
Tipo de pacote | : | 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico |
Retificador Controlado por Silicone (SCR)
YZPST-X0405
DESCRIÇÃO:
Graças aos níveis de disparo altamente sensíveis, o
A série X0405 SCR é adequada para todas as aplicações
onde a corrente disponível da porta é limitada, como
interruptores de circuito de falta à terra, sobretensão
proteção contra pé de cabra em fontes de baixa potência,
circuitos de ignição capacitiva, ...
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
Symbol |
Value |
Unit |
IT(RMS) |
4.0 |
A |
VDRM VRRM |
600 |
V |
IGT |
200 |
µA |
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junctiontemperature range |
Tstg |
-40 ~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (T =25℃) |
VDRM |
600 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (T =25℃) |
VRRM |
600 |
V |
Non repetitive surge peak Off-state voltage |
VDSM |
VDRM +100 |
V |
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
VRRM +100 |
V |
RMS on-state current (T =60℃) |
IT(RMS) |
4.0 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz) |
ITSM |
30 |
A |
Average on-state current (180° conduction angle) |
IT(AV) |
2.5 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
4.5 |
A2S |
Critical rate of rise of on-state current (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) |
dI/dt |
50 |
A/μS |
Peak gate current |
IGM |
1.2 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
0.2 |
W |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (T = 25 ℃, salvo especificação em contrário)
Symbol |
Test Condition |
|
Value |
Unit |
IGT |
V =12V R =140Ω |
MAX. |
200 |
µA |
VGT |
MAX. |
0.8 |
V |
|
VGD |
VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ |
MIN. |
0.1 |
V |
IL |
IG=1.2IGT |
MAX. |
6 |
mA |
IH |
IT=50mA |
MAX. |
5 |
mA |
dV/dt |
VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ |
MIN. |
15 |
V/μs |
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
|
VTM |
ITM =8.0A tp=380μs |
Tj =25℃ |
1.8 |
V |
IDRM |
VD=VDRM VR=VRRM
|
Tj =25℃ |
5 |
μA |
IRRM |
Tj =125℃ |
1 |
mA |
Resistências térmicas
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
Rth(j-a) |
junction to ambient |
60 |
℃/W |
Rth(j-t) |
Junction to tab (DC) |
20 |
Esquema de informações para pedidos
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