YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de disco semicondutores (tipo de cápsula)> Diodo retificador (diodo padrão)> Diodo Retificador de barreira schottky de alta effiência Sr10100
Diodo Retificador de barreira schottky de alta effiência Sr10100
Diodo Retificador de barreira schottky de alta effiência Sr10100
Diodo Retificador de barreira schottky de alta effiência Sr10100
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$6510-199 Others

$52≥200Others

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-SR10100

marcaYzpst

Supply TypeOriginal Manufacturer, Other

Reference MaterialsDatasheet, Photo

SpeciesSchottky Diode

Package TypeSurface Mount

GearNot Applicable

Q Value At Different Vr And FNot Applicable

Power-MaximumNot Applicable

VRRM100V

VR(RMS)70V

VDC100V

IF(AV)10A

IFSM150A

VF0.85V

TSTG-55 --- +150℃

Tj-55 --- +150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : 1000 pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
Diodo de alta tensão SR10100
Descrição do produto

Diodo de retificador de barreira schottky de plástico

YZPST-SR10100

Características
Retifie de silício de metal, condução da portadora majoritária · anel de guarda para proteção transitória
Baixa perda de PWER, alta efficiência
Alta capacidade de corrente baixa VF
Alta capacidade de onda
Pacote de plástico tem classificação de inflamabilidade UL 94 V-0
Dados mecânicos
Casos: Jedec R-6 Molded Plastic
Polaridade: banda colorida cenotes cátodo
Peso: 0,07Onsces 2,1 gramas
Posição de montagem: qualquer

DO-27

Classificações máximas e características elétricas

Classificações a 25 ℃ Temperatura ambiente, a menos que especificado de outra forma.

Fase, meia onda, 60Hz, resistivo ou carga indutiva.

Para carga capacitiva, a corrente deera em 20%

Symbols SR10100 Unit
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 100 V
Maximum RMS voltage VR(RMS) 70 V
Maximum DC blocking voltage VDC 100 V
IF(AV) 10 A
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 150 A
@IF =10A
Maximum forward voltage VF 0.85 V
Maximum reverse current @TA = 25   @TA = 100 IR 0.5 mA
50
Typical thermal resistance RθJA 3 //W
Storage temperature range TSTG -205
Junction   temperature    range   at   reduced reverse voltage  in DC forward mode Tj -205

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苏ICP备05018286号-1
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