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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Parafuso plano Diodo rotativo 1200V

Parafuso plano Diodo rotativo 1200V

Preço unitário: USD 150 - 300 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-309U(R)120

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

1 DIODO DE GIRO

YZPST-309U (R) 120

Condução para a frente

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1200

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

1300

V

Max. average forward current

IF(AV)M

860

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)M

1250

A

Nominal value

Max. peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

IFSM

12

kA

10.0 msec (50Hz), half sinewave,

Tvj = Tvj max, VRM = 0.5VRRM

Maximum I2t for fusing

I2t

725

kA2s

Max. forward voltage drop

VFM

1.40

V

IFM = 2600A; Tvj = 25oC

Threshold voltage

VF0

0.7

V

Slope resistance

rT

1.5

Especificações térmicas e mecânicas

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+180

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+200

oC

Reverse recovery charge

Qrr

-

μc

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

90

oC /kW

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

80

oC /kW

Mounting force

P

-

-

1.7

kN

± 20%

Weight

W

-

-

-

g

About

Case style

-

See Outline Table

ROTATING DIODE 309U(R)120





Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo Retificador (Diodo Padrão)

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