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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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2000V tiristor kk rápido tiristor techsem

2000V tiristor kk rápido tiristor techsem

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-KK2000A2000V-1

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 1000

    Certificados : ISO9000

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA O CONTROLE DE FASES

YZPST-KK2000A2000V


Características:

. Toda estrutura difusa

. Configuração do Gate de Amplificação Central

. Tempo de desligamento máximo garantido

. Alta capacidade de dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

Notas:

Todas as classificações estão especificadas para Tj = 25 oC, a menos que

declarado de outra forma.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para linear e exponencial

onda para 80% avaliado VDRM. Portão aberto.

Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade

com padrão EIA / NIMA RS-397, Seção

5-2-2-6. O valor definido seria em adição

com a obtida de um circuito de amortecimento,

compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms

resistência em paralelo com o thristor sob

teste.


CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Bloqueio - Estado Off

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec



Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2000

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

3140

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

14.6

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.06x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

500

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.6

V

ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC

Threshold vlotage

VT0

-

V

Slope resistance

rT

-

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

200

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

150

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.5

0.7

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

35

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

400

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

23

45

oC/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

kN

Weight

W

460

g

About

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas


ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

C458PB thyristor

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor do inversor

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