Detalhes da empresa

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD. [Jiangsu,China] Tipo de Negócio: Empresa de comércio , Distribuidor / Atacadista , Fabricante , Serviço Main Mark: África , Americas , Ásia , Europa Exportador: 91% - 100% Descrição: Controlador de tiristor de 2000V,Tiristor Kk Rápido,Tiristor Techsem

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2000V tiristor kk rápido tiristor techsem

Tipo de pagamento:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega:	30 dias

 2000V tiristor kk rápido tiristor techsem

Informação básica

Modelo: YZPST-KK2000A2000V-1

Additional Info

Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 1000

Certificados : ISO9000

Código HS: 85413000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA O CONTROLE DE FASES

YZPST-KK2000A2000V

Características:

. Toda estrutura difusa

. Configuração do Gate de Amplificação Central

. Tempo de desligamento máximo garantido

. Alta capacidade de dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

Notas:

Todas as classificações estão especificadas para Tj = 25 oC, a menos que

declarado de outra forma.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o

faixa de temperatura -40 a +125 oC.

(2) 10 ms. max. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.

(4) Valor mínimo para linear e exponencial

onda para 80% avaliado VDRM. Portão aberto.

Tj = 125 oC.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade

com padrão EIA / NIMA RS-397, Seção

5-2-2-6. O valor definido seria em adição

com a obtida de um circuito de amortecimento,

compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms

resistência em paralelo com o thristor sob

teste.

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Bloqueio - Estado Off

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V _DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo

V _RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec

Condução - no estado

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)M		2000		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMSM		3140		A	Nominal value
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 14.6		KA KA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.06x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		500		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.6		V	I_TM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; T_j =25 ^oC
Threshold vlotage	V_T₀		-		V
Slope resistance	r_T		-		mΩ
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		400		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		10		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 150 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		5		V

Dinâmico

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		1.5	0.7	ms	I_TM =50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		35		ms	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*	400	mC	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		23 45		^oC/KW	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		10 20		^oC/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	24.5	26.7		kN
Weight	W			460	g	About