Mr. John changO que posso fazer por você?
Mr. John chang
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Lista de Produto
Página inicial > Lista de Produto > Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor do inversor > 2000V tiristor kk rápido tiristor techsem
PRODUCT CATEGORIES
| Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Tempo de entrega: | 30 dias |
Informação básica
Modelo: YZPST-KK2000A2000V-1
Additional Info
Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
produtividade: 100
marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origem: China
Habilidade da fonte: 1000
Certificados : ISO9000
Código HS: 85413000
porta: SHANGHAI
Descrição do produto
TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA O CONTROLE DE FASES
YZPST-KK2000A2000V
Características:
. Toda estrutura difusa
. Configuração do Gate de Amplificação Central
. Tempo de desligamento máximo garantido
. Alta capacidade de dV / dt
. Dispositivo montado sob pressão
Notas:
Todas as classificações estão especificadas para Tj = 25 oC, a menos que
declarado de outra forma.
(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para uma
Forma de onda senoidal de 50Hz / 60Hz sobre o
faixa de temperatura -40 a +125 oC.
(2) 10 ms. max. largura do pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 oC.
(4) Valor mínimo para linear e exponencial
onda para 80% avaliado VDRM. Portão aberto.
Tj = 125 oC.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di / dt é estabelecido em conformidade
com padrão EIA / NIMA RS-397, Seção
5-2-2-6. O valor definido seria em adição
com a obtida de um circuito de amortecimento,
compreendendo um capacitor de 0,2 F e 20 ohms
resistência em paralelo com o thristor sob
teste.
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES
Bloqueio - Estado Off
|
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
|
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva
V DRM = Pico de tensão de estado de pico repetitivo
V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
|
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
15 mA 65 mA (3) |
|
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
500 V/msec |
Condução - no estado
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
2000 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
|
RMS value of on-state current |
ITRMSM |
|
3140 |
|
A |
Nominal value |
|
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.6 |
|
KA
KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
|
I square t |
I2t |
|
1.06x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
|
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
|
Holding current |
IH |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
|
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.6 |
|
V |
ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC |
|
Threshold vlotage |
VT0 |
|
- |
|
V |
|
|
Slope resistance |
rT |
|
- |
|
mΩ |
|
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
800 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
|
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES
Gating
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
|
Peak gate current |
IGM |
|
10 |
|
A |
|
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 150 - |
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 3 -
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
|
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
Dinâmico
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Delay time |
td |
|
1.5 |
0.7 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
|
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
35 |
|
ms |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
|
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
400 |
mC |
ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
|
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
23 45 |
|
oC/KW |
Double sided cooled Single sided cooled |
|
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
|
Mounting force |
P |
24.5 |
26.7 |
|
kN |
|
|
Weight |
W |
|
|
460 |
g |
About |
* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas
ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO
|
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
|
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor do inversor
produtos quentes
Enviar Inquérito
Mr. John chang
Número De Telefone:86-514-87782298
Fax:86-514-87782297
Celular:+8613805278321
E-mail:info@yzpst.com
Endereço: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu
