YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Diodo.> Alta confiabilidade MFC200 1600V Módulo de diodo do tiristor
Alta confiabilidade MFC200 1600V Módulo de diodo do tiristor
Alta confiabilidade MFC200 1600V Módulo de diodo do tiristor
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Alta confiabilidade MFC200 1600V Módulo de diodo do tiristor
Alta confiabilidade MFC200 1600V Módulo de diodo do tiristor

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$2550-999 Piece/Pieces

$18≥1000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MFC200-16

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

IRRM, IDRM70 mA

Dv/dt1000 V/µs

ITAV, IFAV216A

ITRMS, IFRMS340A

ITSM, IFSM6.8kA

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Exemplo de imagem :
Baixar :
Módulo de diodo tiristor MFC200-16
Descrição do produto
YZPST-MFC200-16
Módulo Tiristor / Diodo
Características:
- Transferência de calor através da placa de base isolada de cerâmica de nitreto de alumínio
- articulações de soldado duro para alta confiabilidade
- Tiristor com portão de amplificação
Aplicações típicas:
- Controle do motor DC - iniciantes macios do motor CA
- Controle de temperatura
- Esgoto de luz profissional

Bloqueio reverso - fora do estado

Device Type VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
YZPST MFC200 1600 V 1600 V 1700 V

VRRM = tensão reversa de pico repetitivo

VDRM = tensão fora do estado de pico repetitivo

VRSM = tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive reverse  and off-state peak leakage current IRRM, IDRM 70 mA (3)
Critical rate of  rise of off-state voltage dv/dt 1000 V/µs (4)
Conduzindo
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Average on-state / forward current ITAV, IFAV 216 A 50 Hz sine wave,180o conduction,
Tc = 85 °C
RMS on-state / forward current ITRMS, IFRMS 340 A 50 Hz sine wave,180° conduction,
Tc = 85 °C
Surge non repetitive current ITSM, IFSM 6.8 kA 50 Hz sine wave
Half cycle
I squared t I2 t 231 kA2s VR = 0
Tj = Tjmax
Peak on-state / forward voltage VTM, VFM 1.1 V On-state current 200 A, Tj = Tjmax
Threshold voltage VT(TO) 0.8 V Tj = Tjmax
On-state slope resistance rT 1.4 Tj = Tjmax
Holding current IH 150 mA Tj = 25 °C
Latching current IL 200 mA Tj = 25 °C
Critical rate of rise of on-state current di/dt 500 A/µs IG = 5 IGT,  tr= 1 µs, Tj = Tjmax,  non rep.
RMS isolation voltage VINS 3000 V AC 50 Hz, 60 s
Acionando
Parameter Symbol Min Max Typ Unit Conditions
Gate current IGT 150 mA VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C
Gate voltage VGT 2 V VD = 6 V; RL  = 6 Ω; Tj = 25 °C

Contorno e Dimensões

OUTLINE AND DIMENSIONS

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苏ICP备05018286号-1
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