YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Direções de BI Tiristor (TRIAC)> 800V BTA216B-800B TRIAC Adequado para troca AC de uso geral
800V BTA216B-800B TRIAC Adequado para troca AC de uso geral
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$0.183000-9999 Piece/Pieces

$0.15≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Land,Air,Others
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-BTA216B-800B

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

IT(RMS)16A

VDRM800V

VRRM800V

IGT≤10mA

Di/dt100A/μs

IGM2A

VGM5W

PGM5W

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança
Baixar :
TRIAC BTA216B-800B TO-263
Descrição do produto
BTA216B-600B/800B TRIACS
Description:

Devido à passivação de vidro de separação, esses dispositivos têm bom desempenho em DV/DT e confiabilidade. A série TRIAC é adequada para a comutação CA de uso geral. Eles podem ser usados ​​como uma função on-off nas aplicações como relés estáticos, regulação de aquecimento ou para operação de controle de fase em dimmers de luz, controladores de velocidade do motor.

YZPST-BTA216B-800B

PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS

Symbol Value Unit
IT(RMS) 16 A
VDRM/VRRM 600/800 V
IGT 10 mA
Classificações absolutas de mamãe
Symbol PARAMETER Value Unit
IT(RMS) RMS on-state current(full sine wave) TO-263.Non-Ins TC99℃ 16 A
Non repetitive surge peak on-state current t=20ms 140
ITSM (full sine wave, Tj=25℃) t= 16.7ms 150 A
I2t I2t Value for fusing t= 10ms 98 A2S
di/dt Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering ITM  = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us 100 A/μs
IGM Peak gate current, 2 A
VGM Peak gate voltage 5 W
PGM Peak gate power 5 W
PG(AV) Average gate power over any 20 ms period 0.5 W
Tstg Storage junction temperature range -40 to +150
Tj Operating junction temperature range 125
Características elétricas (TJ = 25。c, a menos que especificado de outra forma)
Características estáticas
Symbol Parameter Test Condition Quadrant Value Unit
MIN TYPE MAX
IGT Gate trigger current VD= 12V, IT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - 10 mA
VD= 12V, IT=0. 1A - 0.7 1.5
VGT Gate trigger voltage VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C 0.25 0.4 - V
VT On-state voltage IT=20A - 1.2 1.5 V
IH Holding current VD= 12V, IGT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - mA
Ⅰ-Ⅲ - - 60 mA
IL Latching current VD= 12V, IGT=0. 1A - - 90 mA
ID Off-state leakage current VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C - 0.1 0.5 mA
PACOTE MECÂNICO DADOS
To-263

YZPST-BTA216B-800B TO-263

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苏ICP备05018286号-1
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