800V BTA216B-800B TRIAC Adequado para troca AC de uso geral
$0.183000-9999 Piece/Pieces
$0.15≥10000Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Land,Air,Others |
porta: | SHANGHAI |
$0.183000-9999 Piece/Pieces
$0.15≥10000Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
transporte: | Ocean,Land,Air,Others |
porta: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-BTA216B-800B
marca: Yzpst
Lugar De Origem: China
IT(RMS): 16A
VDRM: 800V
VRRM: 800V
IGT: ≤10mA
Di/dt: 100A/μs
IGM: 2A
VGM: 5W
PGM: 5W
Unidades de venda | : | Piece/Pieces |
Tipo de pacote | : | 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. trança |
Baixar | : |
Devido à passivação de vidro de separação, esses dispositivos têm bom desempenho em DV/DT e confiabilidade. A série TRIAC é adequada para a comutação CA de uso geral. Eles podem ser usados como uma função on-off nas aplicações como relés estáticos, regulação de aquecimento ou para operação de controle de fase em dimmers de luz, controladores de velocidade do motor.
PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS
Symbol | Value | Unit |
IT(RMS) | 16 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
IGT | ≤10 | mA |
Symbol | PARAMETER | Value | Unit | |
IT(RMS) | RMS on-state current(full sine wave) | TO-263.Non-Ins TC≤99℃ | 16 | A |
Non repetitive surge peak on-state current | t=20ms | 140 | ||
ITSM | (full sine wave, Tj=25℃) | t= 16.7ms | 150 | A |
I2t | I2t Value for fusing | t= 10ms | 98 | A2S |
di/dt | Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering | ITM = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us | 100 | A/μs |
IGM | Peak gate current, | — | 2 | A |
VGM | Peak gate voltage | — | 5 | W |
PGM | Peak gate power | — | 5 | W |
PG(AV) | Average gate power | over any 20 ms period | 0.5 | W |
Tstg | Storage junction temperature range | -40 to +150 | ℃ | |
Tj | Operating junction temperature range | 125 | ℃ |
Symbol | Parameter | Test Condition | Quadrant | Value | Unit | ||
MIN | TYPE | MAX | |||||
IGT | Gate trigger current | VD= 12V, IT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | 10 | mA |
VD= 12V, IT=0. 1A | - | 0.7 | 1.5 | ||||
VGT | Gate trigger voltage | VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C | 0.25 | 0.4 | - | V | |
VT | On-state voltage | IT=20A | - | 1.2 | 1.5 | V | |
IH | Holding current | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ | - | - | mA | |
Ⅰ-Ⅲ | - | - | 60 | mA | |||
IL | Latching current | VD= 12V, IGT=0. 1A | Ⅱ | - | - | 90 | mA |
ID | Off-state leakage current | VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C | - | 0.1 | 0.5 | mA |
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.