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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Página inicial > Lista de Produto > Pacote de plástico semicondutor > Tiristor Bi Direcionador (Triac) > Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120

Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120
Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120
Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120
Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120

Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120

Preço unitário: USD 4.5 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1000 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-SG50AA120

    Certificação: RoHS

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Triac YZPST-SG50AA120

Excitador conduzido dimmable do triac SG50AA120

TRIAC (TIPO ISOLADO)

SG50AA são triacs moldados isolados adequados para uma ampla gama de aplicações como copiadora, forno microondas, interruptor de estado sólido, controle de motor, controle de luz e controle de aquecimento.

● IT (AV) 50A

● alta capacidade de surto 330A

● Terminais de tabulação

Triac SG50AA (2)Triac SG50AA (1)


 

Symbol

Item

 

 

 

Unit

SG50AA80

SG50AA120

SG50AA160

VDRM

Repetitive Peak Off-State Voltage

800

1200

1600

V

Symbol

Item

Conditions

Ratings

Unit

IT(RMS)

R.M.S. On-State Current

Tc=58

50

A

ITSM

Surge On-State Current

One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive

450

A

I2t

I2t

Value for one cycle of surge current

730

A2S

 

PGM

 

Peak Gate Power Dissipation

 

 

10

 

W

PG(AV)

Average Gate Power Dissipation

 

1

W

IGM

Peak Gate Current

 

3

A

VGM

Peak Gate Voltage

 

10

V

di/dt

Critical Rate of Rise of On-State Current

IG=100mA,Tj=25,VD=1/2VDRM,

100

A/μs

Tj

Operating Junction Temperature

 

-25 to +125

Tstg

Storage Temperature

 

-40 to +125

 

Mounting Torque(M4)

Recommended Value 1.0-1.4(10-14)

1.5(15)

N.m

 

Mass

Typical value

2

g

Eléctricos A l CH ara c t e rísticas

 

Symbol

 

Item

 

Conditions

 

Ratings

 

Unit

IDRM

Reptitive  Peak  Off-State  Current,

 

max

 

VD=VDRM, Single phase, half wave, Tj=125

5

mA

VTM

Peak On-State Voltage, max

On-State Current [ 2 × IT ( RMS )], Inst.

 

measurement

1.4

V

I + GT1

1

 

Gate Trigger Current, max

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

 

mA

I -GT1

2

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

I + GT3

3

 

-

I -GT3

4

Tj=25,IT=1A,VD=6V

80

V+ GT1

1

 

Gate Trigger Voltage, max

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

 

V

V-GT1

2

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

V+ GT3

3

 

-

V-GT3

4

Tj=25,IT=1A,VD=6V

3

VGD

Non-Trigger Gate Voltage, min

Tj=125,VD=1/2VDRM

0.2

V

tgt

Turn On Time, max.

IT(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj

=25,dIG/dt=1A/μs

10

V

dv/dt

Critical   Rate   of   Rise   on-State

 

Voltage,min.

 

Tj=125,VD=2/3VDRM,Exoponential wave.

300

 

V/μs

 

dv/dt]c

Critical   Rate   of   Rise   off-State

 

Voltage at commutation, min

 

Tj=125,VD=2/3VDRM,[di/dt]c=15A/ms

200

 

V/μs

IH

Holding Current, typ.

Tj=25

30

mA

Rth(j-c)

Thermal Impedance, max

Junction to case

1.5

/W


Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Tiristor Bi Direcionador (Triac)

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