MOSFET DE CANNOLO NA TRANSPORTE RÁPIDO

$2.65100-999 Piece/Pieces

$2.15≥1000Piece/Pieces

Option:

Descrição do produto

Atributos do produto

Modelo: YZPST-QM3N150C

marca: Yzpst

Lugar De Origem: China

Vdss: 1500V

ID Continuous (Tc = 25 °C ): 3A

ID Continuous ( Tc = 100 °C ): 1.8A

Idm: 12A

EAS: 225mJ

Dv/dt: 5V/ns

Embalagem & Entrega

Unidades de venda	:	Piece/Pieces
Tipo de pacote	:	1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de caixa 3. Embalagem de proteção plástica
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Descrição do produto

1500V N-canal MOSFET

YZPST-QM3N150C

Descrição geral

Este MOSFET de poder é produzido usando avançado

Tecnologia plana auto-alinhada. Isso avançado

A tecnologia tem sido especialmente adaptada para minimizar

Resistência no estado, forneça comutação superior

desempenho e suportar pulso de alta energia no

Avalanche e modo de comutação.

Esses dispositivos podem ser usados em várias trocas de energia

Circuito para miniaturização do sistema e maior eficiência.

Características

3A, 1500V, RD5 (ON) TIP. = 50@VGS = 10 V ld = 1,5a

Baixa carga do portão (37NC típico)

Capacitância de transferência reversa baixa (típico2.8pf)

Comutação rápida

100% de avalanche testado

YZPST-QM3N150C(4)

Classificações máximas absolutas tc = 25 cunles observados de outra forma

Symbol	Parameter		YZPST-QM3N150C	Units
Voss	Drain-Source Voltage		1500	V
lo	Drain Current	Continuous(Tc=25℃)	3	A
lo	Drain Current	Continuous(Tc=100℃)	1.8	A
loM	Drain Current - Pulsed (Note 1)		12	A
VGss	Gate-Source Voltage		±30	V
EAS	Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)		225	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)		5	V/ns
Po	Power Dissipation(Tc=25℃)		32	W
T,Tsts	Operating anc Storage Temperature Range		-55 to+150	℃
Tt	Maximum lead temperature for soldering purposes 1/8" frome case for 5 seconds		300	℃