YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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162a módulos de tiristor duplo
162a módulos de tiristor duplo
162a módulos de tiristor duplo
162a módulos de tiristor duplo
162a módulos de tiristor duplo

162a módulos de tiristor duplo

$261-19 Piece/Pieces

$19≥20Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-SKKT162-08E

marcaYzpst

InscriçãoAlta frequência, Espelho atual

Tipo De FornecimentoFabricante original, ODM, Agência, outro

Materiais De ReferênciaFicha de dados, foto, outro

Tipo De EmbalagemMontagem em Superfície, Throught Hole

Método De InstalaçãoAtravés do orifício, Montagem em Superfície

Função FETCarboneto de silício (SiC), Padrão, Super Junction, GaNFET (nitreto de gálio), Não aplicável

Configuraçãosolteiro, Tipo T, Interruptor único, Não aplicável

IT(AV)162A

ITRMS250A

ITSM4800A

I2t115kA2S

VDRM/VRRM800/800V

Di/dt200A/us

Viso4000/4500V

Tj-40 ~ + 125℃

Tstg-40 ~ + 125℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Baixar :
YZPST-SKKT162-08E
Descrição do produto



Dual Módulos de tiristor

Tipo: yzpst-skkt162 /08e


Características

Transferência de calor através da placa de base metal isolada de nitreto de alumínio
Contatos preciosos de pressão de metal para alta confiabilidade
Tiristor com portão de amplificação


Aplicações típicas

· Controle do motor DC

· AC Motor Soft Startters

· Controle de temperatura

· Escurecimento de luz profissional

Classificações máximas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase,half wave,85° conduction TC=77

162

A

ITRMS

Single phase,half wave,85° conduction

250

A

ITSM

TC=125

4800

A

I2t

TC=125

115

kA2S

VDRM/VRRM

TC=125

800/800

V

di/dt

non-repetitive

200

A/us

Viso

A.C.1m/1S

4000/4500

V

Tj

 

-40  ~  + 125

Tstg

 

-40  ~  + 125

W

 

-

g

características elétricas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRMSingle phase,half wave,TC=125

60

mA

VTM

On-State Current 500A,Tj=25

1.85

V

VT(TO)

Tj=125

1.35

V

tgd

Tj=25

1

us

tq

Tj=125

 

us

IGT/VGT

Tj=25

150 / 2

mA/V

VGD

VD=67%VDRM , Tj=125

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25

400

mA

IL

Tj=25

1000

mA

Rth(j-c)

Per Module

0.08

K/W

Desenho de esboço

162A Dual Thyristor Modules









苏ICP备05018286号-1
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