Módulo Avançado de Ciclismo de Potência 1600V

$18.510-199 Bag/Bags

$15.5≥200Bag/Bags

Descrição do produto

Atributos do produto

Modelo: YZPST-MMO175-16W1C

marca: Yzpst

Inscrição: Amplificador, Não aplicável

Tipo De Fornecimento: outro

Materiais De Referência: Ficha de dados, foto, outro

Tipo De Embalagem: Montagem em Superfície

Método De Instalação: Não aplicável

Função FET: Não aplicável

Configuração: Não aplicável

VRRM: 1600V

VDRM: 1600V

VRSM: 1700V

IRRM: 5mA

IT(AV): 80A

IT(RMS): 125A

ITSM: 1500

Embalagem & Entrega

Unidades de venda	:	Bag/Bags
Baixar	:

YZPST-MMO175-16W1C.



Descrição do produto

CARACTERÍSTICAS DO PRODUTO

Placa de base: cobre

Passivação de vidro Fichas de tiristor

Corrente de baixo vazamento

DBC internamente isolado

Ciclismo de energia avançado

FORMULÁRIOS

Softstart CA Motor Control

Controle de temperatura

Controle de energia CA.

Conversão de energia

Iluminação e controle de temperatura

A bs o l u m a x i m u m r a t i ng s ( tc = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
VRRM	Maximum Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1600	V
VDRM	Maximum repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	1600	V
VRSM	Non-Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1700	V
VDSM	Non-repetitive peak off-state voltage	Tvj=125℃	1700	V
IRRM	Maximum Repetitive Reverse Current	Tvj=125℃	5	A
IDRM	Maximum repetitive peak off-state Current	Tvj=125℃	5	A
IT(AV)	Mean On-state Current	TC=85℃	80
IT(RMS)	RMS Current	TC=85℃, sin180°	125
IRMS	Module	TC=85℃	175	A
ITSM	Non Repetitive Surge Peak On-state Current	10ms, Tj=25℃	1500
I2t	For Fusing	10ms, Tj=25℃	11000	A2S
VTM	Peak on-state voltage	ITM=240A	1.67	V
dv/dt	critical rate of rise of off-state voltage	VD =2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	1000	V/us
IGT	gate trigger current max.		100	A
VGT	gate trigger voltage max.		1.3	V
IH	gate trigger current		200	A
IL	latching current		350	A
Viso	AC 50Hz RMS 1min		2500	V
TJ	Junction Temperature		-40 to +150	℃
TSTG	Storage Temperature Range		-40 to +150	℃
RthJC	Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip )		0.45	℃ /W