YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Tiristor> Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V

Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V

obtenha o ultimo preço
Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:Shanghai
Atributos do produto

ModeloYZPST-MFC90ATD-1600

marcaYZPST

Embalagem & Entrega
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
Baixar :
Descrição do produto

Módulo de Diodo de Base de Cobre Grosso

YZPST-MFC90ATD-1600

Thyristor DIODE Modules TIPO: MFC (TD) 90-1600

Características • Alta Voltagem • Pacote Padrão Industrial • Grossa de metal Al e ligação dupla vara • Placa de base grossa de cobre

• UL aprovado • 3500VRMS isolando tensão

Aplicações típicas • Controle do motor CC • Acionadores de partida suave do motor CA • Controle de temperatura Controle de luz profissional

Classificações máximas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

IF(AV)

Single phase,half wave,180° conduction, Tc = 85 °C

90

A

IO(RMS)

Single phase,half wave,180° conduction,

190

A

ITSM

Tj = Tjmax ; t=8.3ms

1750

A

I2t

Tj = Tjmax ; t=8.3ms

150

kA2S

VDRM

VRRM

VRSM

Tj = Tjmax

1600

1600

1700

V

di/dt

IG = 500mA, tr = 1 μs, Tj = 25 °C

150

A/us

VINS

A.C.1minute

3500

V

Tj

-40 ~ + 125

°C

Tstg

-40 ~ + 125

°C

W

About

-

g

características elétricas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM,Single phase,half wave; Tj = Tjmax

20

mA

VTM

VFM

On-State Current 300A; Tj = Tjmax

1.64

V

VT(TO)

Tj = Tjmax

0.90

V

rt

Tj = Tjmax

2.0

tgd

Tj=25°C

1

us

tq

Tj = Tjmax

100

us

IGT/VGT

Tj=25°C

150/2.5

mA/V

VGD

VD=67%VDRM; Tj = Tjmax

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25°C

250

mA

IL

Tj=25°C

400

mA

T

Mounting torque case-heatsink; ± 10%

Mounting torque busbar-terminals; ± 10%

5

3

N.m

Rth(j-c)

Per Module

0.28

K/W

Rth(c-s)

Per Module

0.32

K/W

Imagens detalhadas

Thick Copper Baseplate Diode Module


Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Tiristor> Módulo de Diodo de Alta Voltagem Manufactory 1600V
苏ICP备05018286号-1
Enviar Inquérito
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

enviar