YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Módulo de Tiristor Duplo MTC250A1600V com porta de amplificação
Módulo de Tiristor Duplo MTC250A1600V com porta de amplificação
Módulo de Tiristor Duplo MTC250A1600V com porta de amplificação
Módulo de Tiristor Duplo MTC250A1600V com porta de amplificação

Módulo de Tiristor Duplo MTC250A1600V com porta de amplificação

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porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-MTC250A1600V

marcaYZPST

Embalagem & Entrega
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
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Descrição do produto

Módulo de Tiristor Duplo

YZPST-MTC250A1600V

O módulo é processado de acordo com as necessidades dos clientes. Ele pode ser usado para controle de temperatura, controle de motor DC e partidas suaves para motores de corrente alternada. O Módulo ainda tem muitos recursos, como a porta amplificadora no tiristor, contatos de pressão de metais preciosos para alta confiabilidade e o último, mas não menos importante, a transferência de calor através da placa de base metálica isolada de cerâmica de nitreto de alumínio.

Módulos de Tiristor Duplo

Características • Transferência de calor através de placa de base metálica isolada de cerâmica de nitreto de alumínio • Contatos de pressão de metais preciosos para alta confiabilidade

• Tiristor com portão amplificador

TIPO: MTC250A-1600V Aplicações típicas • Controle do motor CC • Acionadores de partida suave do motor CA • Controle de temperatura • escurecimento de luz profissional


Classificações máximas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase,half wave,85° conduction

250

A

ITRMS

Single phase,half wave,35° conduction

566

A

ITSM

Tj=125

8000

A

I2t

Tj=125

320

kA2S

VDRM/VRRM

 

1800/1800

V

di/dt

non-repetitive

250

A/us

Viso

A.C.1minute

3000

V

Tj

 

-40  ~  + 125

Tstg

 

-40  ~  + 125

W

 

-

g

características elétricas

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM,Single phase,half wave,Tj=125

85

mA

VTM

On-State Current 750A,Tj=25

1.4

V

VT(TO)

Tj=125

0.925

V

tgd

Tj=25

1

us

tq

Tj=125

50-150

us

IGT/VGT

Tj=25

200 / 3

mA/V

VGD

VD=67%VDRM , Tj=125

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25

150

mA

IL

Tj=25

300

mA

Rth(j-c)

Per Module

0.07

K/W

Dual Thyristor Modules YZPST-MTC250A-1600V

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