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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodo de alta tensão de alta freqüência 500mA

Diodo de alta tensão de alta freqüência 500mA

Preço unitário: USD 1.2 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 100000 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-CL05-08

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    Código HS: 85411000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Diodo De Alta Tensão De Alta Freqüência

YZPST - CL05-08

Características

1. Alta temperatura de junção até130 ℃

2. Baixa queda de tensão para a frente e pequeno vazamento de corrente

3. Proteção da avaria de avalanche

4. Tempo máximo de recuperação reversa para 40nS

4. Excelentes propriedades contra o impacto de surto de alta tensão

5. fios principais axiais que são soldáveis

6. Pacote epóxi com propriedades anticorrosivas na superfície

Aplicação

• Retificação para forno de microondas

• Fontes de alimentação para micro-ondas industriais

• Fonte de raios X de alta frequência

• Fonte de alimentação a laser

• circuitos multiplicadores de tensão

• Retificação de fontes de alimentação para outros dispositivos eletrônicos

Especificação 1.Main

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


 8



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

15

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

-

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130

















2. Especificação Elétrica

 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  15max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

5max

VRM=8KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


5max

   Tamb=100oC

   VRM=10KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


   8

 

          IR=300mA


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    100


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, salvo indicação em contrário)

3. Aplicação

Para retificação de alta tensão;

4. Derating de corrente para frente

1

5. Dimensões (em mm))

3



Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Diodo De Embalagem De Plástico

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Fax:86-514-87782297

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