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Inversor de potência de frequência tiristor r1275

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Informação básica

Modelo: YZPST-R1275NS21L

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 1000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85413000

porta: Shanghai

Descrição do produto

Inversor Tiristor de Alta Potência

YZPST-R1275NS21L

APLICAÇÕES do inversor de tiristor de alta potência, PSTR1275NS21L Características do Tiristor de inversor de potência R1275: Configuração de gate de amplificação interdigitada . Alta capacidade de dV / dt . Dispositivo montado sob pressão. Toda a estrutura difusa, tempo de desligamento máximo garantido.


High Power Thyristor Inverter

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  1275


A

Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  1870


A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

21400


18900

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.90


V

ITM = 2000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      1000


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive


Gating


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

10

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

3


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


5


V




Dinâmico


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    1.5

0.7

ms

ITM = 500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

    40


 

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 200 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

      *

2000

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V

* Para max. Garantido valor, entre em contato com a fábrica.


CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.023

0.046

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (j-c)


0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19.5

21

 

kN


* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas

Nota: para contorno e dimensões do caso, consulte o desenho do contorno do caso na página 3 deste Dados técnicos


Esboço Desenho

High Power Thyristor Inverter High Power Thyristor Inverter






Power Inverter Thyristor r1275

Power Inverter Thyristor r1275


Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Tiristor do inversor

imagem de Produto

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