YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Direções de BI Tiristor (TRIAC)> Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET

Modo de aprimoramento de canal n 1700V Silicon Carbide Power MOSFET

$4.15200-999 Piece/Pieces

$3.98≥1000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-1A01K170K

marcaYzpst

Lugar De OrigemChina

VDSmax1700V

VGSmax-10/+25V

VGSop-5/+20V

ID5.0A 3/5A

LD(pulse)6.0A

PD69W

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Baixar :
SCR S3530 TO-220F
Descrição do produto

YZPST-1A01K170K
MOSFET POWER DE SILICON CARBIDE
Modo de aprimoramento do canal n


V ds = 1700 v

Rds (on) = 1,0q

LDS@25 ° C = 5,0 A


Características

Capacitivo de alta tensão
Alta tensão de bloqueio com baixa resistência
Comutação de alta velocidade com baixas capacitâncias
Fácil de paralelo e simples de dirigir
Capacitância de portão de drenagem ultra-baixa
Avaliação Robedura
Silicon Carbide Power MOSFET


Benefícios

Maior eficiência do sistema
Requisitos de resfriamento reduzidos
Aumento da confiabilidade do sistema
Frequência de troca de sistema aumentada

Formulários
Fontes de alimentação auxiliares
Modo de comutador Supplies de alimentação

Part Number Package
1A01K170K TO-247-3
Classificações máximas (tc = 25 ° C, a menos que especificado de outra forma)

YZPST-1A01K170K-2

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苏ICP备05018286号-1
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