| Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Tempo de entrega: | 30 dias |
Modelo: YZPST-BTB16
Certificação: RoHS
produtividade: 1000
marca: YZPST
transporte: Ocean,Air
Lugar de origem: China
Habilidade da fonte: 10000
Certificados : ISO9001-2008,ROHS
Código HS: 85413000
porta: Shanghai
BTB 16 Serise Triacs
YZPST- BTB16
█ Recurso
◆ O terceiro quadrante sensitivo estrutura de gatilho,
A melhor correspondência para habilidade de comutação e sensibilidade de gate.
◆ Tecnologia de difusão e passivação de vidro.
Assegure confiabilidade e uniformidade de especificação.
◆ Combine a especificação apropriada da comporta como requisito de alta temperatura.
█ Aplicação principal
◆ Máquina de lavar roupa aspirador dimmer.remote switch.
◆ Equipamento de controle de motores AC.
◆ Comutar carga indutiva.
█ Contorno e pin array
TO-220
█ Valor da taxa (a menos que seja especial, Tj = 25 ℃)
|
Description |
symbol |
value |
unit |
|
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open
-600
|
VDRM VRRM |
600 600
|
V |
|
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz |
IT(RMS) |
16 |
A |
|
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz |
ITSM |
160 |
A |
|
Fuse current (t = 10 ms) |
I2t |
144 |
A2s |
|
Gate average power (TC =80℃, t = 10 ms) |
PG(AV) |
1 |
W |
|
Gate peak current (t≤2.0μs) |
IGM |
4 |
A |
|
Work junction temperature |
TJ |
-40~125 |
℃ |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
█ Características térmicas
|
Description |
Symbol |
Max |
Unit |
|
Thermal resistance ( junction to arround ) |
Rj A |
60 |
°C/W |
█ Características ecléticas (a menos que o especial mostre T j = 25 ℃ )
|
Description |
Symbol |
Min |
Type |
Max |
Unit |
|
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃ |
IDRM, IRRM |
−
|
−
|
1
|
mA |
|
Peak on-state Voltage (IT =16A) |
VT |
− |
1.4 |
1.6 |
V |
|
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -CW
MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -BW
|
IGT |
− − −
− − −
|
− − −
− − −
|
35 35 35
50 50 50
|
mA |
|
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises
|
VGT |
− − −
|
− − −
|
1.5 1.5 1.5
|
V |
|
Gate non-trigger voltage (VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125℃) All serises |
VGD |
0.2 |
− |
− |
V |
|
Hold current (Candution current IT=200mA) |
IH |
− |
− |
50 |
mA |
Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Tiristor Bi Direcionador (Triac)
Mr. John chang