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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodos de solda de resistência térmica Ultra-low 18000A

Diodos de solda de resistência térmica Ultra-low 18000A

Preço unitário: USD 55 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 10 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-ZP18000-02-1

    IF(AV): 18000A

    IF(RMS): 28200A

    IFSM: 135000A

    VFM: 1.08 0.97V

    VTO: 0.74V

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Diodos de soldagem

YZPST-ZP18000-02

Características:

Toda estrutura difusa

. Alta densidade atual

. Queda de tensão muito baixa no estado

. caixa de metal com isolador de cerâmica

. Resistência térmica ultra baixa

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Bloqueio - Estado Off

1

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 oC, salvo indicação em contrário.

(1) Meio seno, f = 50 Hz, Tj = -40 a + 170 oC.

(2) Meio seno, 10 ms, Tj = -40 a + 170 oC.

(3) Temperatura máxima de junção: Tj = 170 oC.

(4) Os parâmetros são definidos abaixo:

2


Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO

3







Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo de solda

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