YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de módulo de semicondutores> Módulo Tiristor> Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase
Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase
Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase
Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase
Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase
Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase

Conjunto de tiristor de alta potência de 1600V para controle de fase

$3101-19 Piece/Pieces

$230≥20Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:1 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-KP641-16E

marcaYZPST

V RRM1600v

V DRM1600v

I T(AV)641a

I TSM9900a

I RRM30ma

I DRM30ma

V TM1.5v

Threshold Voltage V T(TO)0.99v

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem de proteção de plástico
Descrição do produto

MONTAGEM DO TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA
PARA APLICAÇÕES DE CONTROLE DE FASE
Tipo: YZPST-KP641 / 16E

CARACTERÍSTICAS E CLASSIFICAÇÕES ELÉTRICAS

Parameter

Symbol

Maximu

m Limits

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

RRM

1600

V

 

Repetitive peak off state voltage

DRM

1600

V

 

Average value of on-state current

I T(AV)

641

A

Sinewave,180 o conduction,T sink =70 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape,

180 conduction, T j = 125 

 

RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

 

DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Peak on-state voltage

TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ ITM=1000A

Threshold voltage

V T(TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Slope resistance

T

0.52

T j =1 25 ℃

Average gate power dissipation

P G(AV)

3

W

 

Gate current

GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃

Gate voltage

GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃

Latching current

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohms

Holding current

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Critical rate of voltage rise

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

200

A/ s

Switching from V DRM 1000 V,

non-repetitive

Operating temperature

T

-30-125

 

Storage temperature

T stg

-30-125

 

ESBOÇO E DIMENSÕES DO CASO.

YZPST-KP641-16E.jpg


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