Fabricante do MOSFET do poder de YZPST-IXFN64N50 500V fabricante
$1510-199 Bag/Bags
$12≥200Bag/Bags
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Quantidade de pedido mínimo: | 10 Bag/Bags |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
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Modelo: YZPST-IXFN64N50
marca: YZPST
MOSFET de potência
Modo de aprimoramento de canal N
Classificação Avalanche
Diodo Intrínseco Rápido
FET Type
|
N-Channel
|
Technology
|
MOSFET (Metal Oxide)
|
Drain to Source Voltage (Vdss)
|
500V
|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
|
61A (Tc)
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
85mOhm @ 32A, 10V
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
5.5V @ 8mA
|
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
|
150nC @ 10V
|
Vgs (Max)
|
±30V
|
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
|
8700pF @ 25V
|
FET Feature
|
-
|
Power Dissipation (Max)
|
700W (Tc)
|
Operating Temperature
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
Mounting Type
|
Chassis Mount
|
Supplier Device Package
|
SOT-227B
|
Package / Case
|
SOT-227-4, miniBLOC
|
Recursos
Pacote padrão internacional
Encapsular epóxi atende
UL 94V-0, classificação de inflamabilidade
miniBLOC com nitreto de alumínio
isolamento
Diodo de recuperação rápida
Comutação indutiva não fixa (UIS)
avaliado
Baixa indutância da embalagem
- fácil de dirigir e proteger
Vantagens
Fácil de montar
Economia de espaço
Densidade de alta potência
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