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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Potência atual de alta tensão de 1200V
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Preço unitário: USD 0.95 - 1.35 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-SM40HF120

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto


DIODOS DE RECUPERAÇÃO PADRÃO Versão Stud


YZPST-SM40HF120

DIODOS DE RECUPERAÇÃO PADRÃO

Características:

Alta capacidade de carga atual

Classificações de alta voltagem até 2000V

Alta capacidade de corrente de surto

Versão do ânodo do cátodo e do parafuso prisioneiro do parafuso prisioneiro

Aplicações Típicas

Conversores

Drives de alta potência

Suprimentos de energia

Controles de máquinas-ferramenta

Aplicações de média tracção Fontes de alimentação

Parameters

SM40HF..

Units

 

 

40

 

A

 

 

@ TC

 

90

°C

 

IF(RMS)

 

62

 

A

 

@ 50Hz

 

570

 

A

 

 

@ 60Hz

 

590

 

A

 

 

@ 50Hz

 

1600

A2S

 

 

@ 60Hz

 

1450

A2S

 

VRRM                                                                 range

 

400 to 2000

 

V

 

TJ

 

-40 to 160

 

°C



ESPECIFICAÇÕES ELETRICAS


Classificações de voltagem


 

Type number

Voltage

 

Code

RRM, maximum repetitive peakreverse voltage

V

RSM , maximumnon- repetitive peakrev. voltage

V

RRM max.

@ T = T Jmax. mA

 

 

 

 

 

SM40HF..

40

400

500

 

 

 

 

 

30

80

800

900

120

1200

1300

140

1400

1500

160

1600

1700

200

2000

2100

Condução para a frente

Parameter

SM40HF..

Units

Conditions

F(AV)                   Max. average forwardcurrent

 

@ Case temperature

40

A

180° conduction, half sine wave

90

°C

IF(RMS)              Max. RMS forwardcurrent

62

A

DC @ TC = 75°C (04 to 20), TC = 36°C(25 to 32)

FSM,             Maximum peak, one-cycleforward, non-repetitive surgecurrent

570

A

t = 10ms

No voltage reapplied

 

 

 

 

 

Sinusoidal    half wave,

Initial T = Tmax.

590

t = 8.3ms

480

t = 10ms

100% VRRM

 

reapplied

500

t = 8.3ms

t               Maximum I t for fusing

1600

s

t = 10ms

No voltage reapplied

1450

t = 8.3ms

1150

t = 10ms

100% VRRM

 

reapplied

1050

t = 8.3ms

I2t              Maximum I2t for fusing

16000

A2s

t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied

VF(TO)       Low level value of thresholdvoltage

0.65

V

T= 200°C

rf                  Max. value of forward sloperesistance

4.30

mΩ

VFM                     Max. forward voltagedrop

1.30

V

(IFM π x IF(AV) (125A peak), T= 25°C

Especificações hermasticas e mecânicas

Parameter

SM40HF..

Units

Conditions

T J

- 40 to 150

°C

 

Tstg

- 40 to 150

 

R thJC    Thermal Impedance, max.

0.95

K/W

DC operation

RthCS     Max. thermal resistance, caseto

 

heatsink

0.25

 

Mounting surface, smooth, flat andgreased

T              Max. allowed mounting torque+0 -20%

3.5

Nm

Not lubricated threads

2.3

Lubricated threads

wt            Approximate weight

17

g

 

Case style

DO-203AB (DO-5)

See Outline Table


Tabela de informações para pedidos

Código do dispositivo

 

SM

 

40

 

HF

 

R

 

100

 

M

 

1

 

2

 

3

 

4         5          6

1 - código corporativo

2 - Corrente Média Avante: I FAV

3 - Diodo

4 - Nenhum = Polaridade Normal do Stud (Catodo para Stud)

- R = Stud reversa Polari t y (Ânodo para Stud)

5 código de tensão: código x 100 = VRRM

6 Nenhum = Braçadeira DO-203AB (DO-5) 1/4 "28UNF-2A M = Base do prisioneiro DO-203AB (DO-5) M6X1


Grupo de Produto : Dispositivos de Semicondutor > Diodo padrão do parafuso prisioneiro de recuperação

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