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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Símbolo do diodo da recuperação do parafuso prisioneiro 2000v 70amp
Símbolo do diodo da recuperação do parafuso prisioneiro 2000v 70amp

Símbolo do diodo da recuperação do parafuso prisioneiro 2000v 70amp

Preço unitário: USD 1.1 - 1.5 / Piece/Pieces
Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo: 1 Piece/Pieces
Tempo de entrega: 30 dias

Informação básica

    Modelo: YZPST-SM70HF200-1

Additional Info

    Pacote: 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2015,ROHS

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Diodo de Recuperação Padrão

YZPST-SM70HF200

DIODOS DE RECUPERAÇÃO PADRÃO

diodo de metal também é chamado de diodo semicondutor de metal porque um metal está em contato com um semicondutor do tipo n ou p para formar um tubo de polo único com condutividade unidirecional.

DIODOS PADRÃO DE R E COVERY Versão Stud

Featu r es

Alto transportar atual capacidade

Alto surto atual c a pabi l ities

Stud catho d e e Stud um n O de vers i on

T Típica Iões Applica t

Conversores

Alto poder drives

Poder suprimentos

Máquina ferramenta controles

Médio tra c ção aplicações

Suprimentos de energia


YZPST-SM70HF120


ESPECIFICAÇÕES ELETRICAS Classificações de voltagem

 Type number

Voltage

 Code

V RRM, maximum repetitive

peak reverse voltage

V

V RSM , maximum non- repetitive peak rev. voltage

V

I RRM max.

@ T J = T J max. mA

 SM70HF..

40

400

500

 30

80

800

900

120

1200

1300

140

1400

1500

160

1600

1700

200

2000

2100


Condução para a frente

Parameter

SM70HF..

Units

Conditions

I F(AV)               Max. average forward current   @ Case temperature

70

A

180° conduction, half sine wave

90

°C

IF(RMS)       Max. RMS forward current

79

A

DC @ TC = 75°C (04 to 20), TC = 36°C (25 to 32)

I FSM,     Maximum peak, one-cycle forward, non-repetitive surge current

1200

A

t = 10ms

No voltage

reapplied

 

 

 

 

Sinusoidal    half wave,

Initial T = T max.

1200

t = 8.3ms

1000

t = 10ms

100% VRRM

reapplied

1050

t = 8.3ms

I 2 t   Maximum I 2 t for fusing

7000

A 2 s

t = 10ms

No voltage reapplied

6500

t = 8.3ms

5000

t = 10ms

100% V RRM

 reapplied

4500

t = 8.3ms

I2t      Maximum I2t for fusing

70000

A2s

t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied

VF(TO)       Low level value of threshold voltage

0.80

V

 

TJ = 200°C

rf      Max. value of forward slope resistance

2.30

VFM     Max. forward voltage drop

1.30

V

(IFM x π x IF(AV) (220A Peak), TJ = 25°C


Especificações térmicas e mecânicas

Parameter

SM70HF..

Units

Conditions

T J

- 40 to 150

 

°C


Tstg

- 40 to 150


R thJC  Thermal Impedance, max.

0.45

K/W

DC operation

RthCS   Max. thermal resistance, case to

 heatsink

0.25


Mounting surface, smooth, flat and greased

T   Max. allowed mounting torque +0 -20%

3.5

 

Nm

Not lubricated threads

2.3

Lubricated threads

wt   Approximate weight

17

g


Case style

DO-203AB (DO-5)

See Outline Table


YZPST-SM70HF120


YZPST-SM70HF120YZPST-SM70HF120





Grupo de Produto : Dispositivos de Semicondutor > Diodo padrão do parafuso prisioneiro de recuperação

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