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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Transistor 3A do silicone de NPN apropriado para lâmpadas de poupança de energia

Transistor 3A do silicone de NPN apropriado para lâmpadas de poupança de energia

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-13003DL

Additional Info

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85413000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN

YZPST-13003DL


Os transistores podem ser empacotados independentemente ou em uma área muito pequena e podem conter parte de um circuito integrado de 100 milhões ou mais de transistores. Retificador de lâmpada economizadora de energia

◆ Classificações Máximas Absolutas (Tc = 25 ℃)


PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

VCBO

350

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

220

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

9

V

Collector Current

IC

3

A

Total Power Dissipation

PC

25

W

Junction Temperature

Tj

150

Storage Temperature

Tstg

-55~150

Características eletrônicas (Tc = 25 ℃)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

Collector-Base  Voltage

VCBO

Ic=1mA Ie=0

350

 

V

Collector-Emitter  Voltage

VCEO

Ic=1mA Ib=0

220

 

V

Emitter-Base  Voltage

VEBO

Ie=1mA Ic=0

9

 

V

Collector-Base  Cutoff  Current

ICBO

Vcb=350v Ie=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Cutoff

Current

 

ICEO

 

Vce=220v Ib=0

 

 

10

 

UA

Emitter-Base  Cutoff  Current

IEBO

Veb=9v    Ic=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Saturation

Voltage

 

Vce(sat)

 

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

 

0.9

 

V

Base-Emitter  Saturation  Voltage

Vbe(sat)

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

1.5

V

DC  Current  Gain

Hfe

VCE=5v     IC=0.2A

20

25

 

Diode Forward Voltage

Vf

IF=1.0A

 

2

V

 

Storage Time

 

ts

 

Ic=0.25A (UI9602)

 

1.5

 

2.5

 

us






Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Transistor De Silício

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