YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Retificador controlado por silício (SCR)> 800V semicondutores scr electronic
800V semicondutores scr electronic
800V semicondutores scr electronic
800V semicondutores scr electronic

800V semicondutores scr electronic

$0.0221000-9999 Piece/Pieces

$0.018≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:1000 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-X0206

marcaYZPST

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
Baixar :
Descrição do produto

Dispositivo Semicondutor Scr

YZPST-X0206

Scr Semiconductor Device 800V de aplicações ● Protetor de vazamento, timer e ignitor de gás ● Controlador temperado


Scr Semiconductor Device

Scr Semiconductor Device


Classificações máximas (Ta = 25 )

Parameter

Symbol

Voltage class

Unit

-6

-8

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

600

800

V

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

600

800

V

RMS on-state current 

IT (RMS)

1.25

A

Average on-state current

IT (AV)

0.8

A

Surge on-state current  

ITSM

22.5

A

I2t for fusing    

I2t

2.5

A2s

Average gate power dissipation 

PG (AV)

0.2

W

Peak gate reverse voltage

VRGM

8

V

Peak gate forward current

IFGM

1.2

A

Junction temperature

Tj

– 40 to +125

°C

Storage temperature

Tstg

– 40 to +150

°C


características elétricas

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test conditions

Repetitive peak reverse current

IRRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VRRM applied

Repetitive peak off-state current

IDRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VDRM applied, RGK = 1 kÙ

On-state voltage  

VTM

-

-

1.45

V

Ta =25°C, ITM =2.5A

Gate trigger voltage   

VGT

-

-

0.8

V

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Gate non-trigger voltage

VGD

0.1

-

-

V

Tj =125°C, VD = VDRM,RGK = 1 kÙ

Gate trigger current

IGT

20

-

200

μA

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Holding current

IH

-

-

5

mA

Tj =25°C, VD = 12 V,RGK = 1 kÙ

Thermal resistance   

Rth (j-a)

-

-

150

°C/W

Junction to ambient

Item atual de disparo

Item

A

B

C

D

E

F

IGT (μA)

20 to 50

40 to 80

70 to 100

20 to 80

20 to 100

100 to 200


苏ICP备05018286号-1
Enviar Inquérito
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

enviar