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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Bom desempenho Diodo retificador padrão de uso geral
Bom desempenho Diodo retificador padrão de uso geral
Bom desempenho Diodo retificador padrão de uso geral
Bom desempenho Diodo retificador padrão de uso geral

Bom desempenho Diodo retificador padrão de uso geral

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-ZP5000A2000V

Additional Info

    produtividade: 100

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 500

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85411000

    porta: Shanghai

Descrição do produto



Diodo Retificador Padrão

YZPST-ZP5000A2000V

RETIFICADOR PADRÃO DO PODER ELEVADO DO PODER DA FINALIDADE GERAL

2000V Características:. Toda estrutura difusa . Alta taxa de surto . Recuperação Reversa Suave

. Pacote Hermético Cerâmico Robusto . Dispositivo montado sob pressão

Aplicações típicas:. Retificador para Aplicações de Drives . Conversores de média tensão

. Aplicações de energia pulsada . Aplicações de Crowbar

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES


Bloqueio reverso

VRRM (1)

VRSM (1)

2000

2100

V RRM = Tensão reversa de pico repetitiva

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage

IRRM

15 mA

100 mA

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min

Max.

Typ

Units

Conditions

Max. Average value of on-state current

IF(AV)M

5000

A

Sinewave,180oconduction,Tc=100oC

RMS value of on-state current

IFRMS

7050

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

62

kA

Tj=150°C, VR=0,8VRRM, tp=10ms

I square t

I2t

23x103

kA2s

10 msec

Peak on-state voltage

VFM

0.95

V

IFM = 2000 A; Tj = 25 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

290

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms,

Tj = 160 oC

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

-

mC

Reverse Recovery Time (4)

tRR

-

ms

* Para valores máximos garantidos, entre em contato com a fábrica

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-55

+150

oC

Storage temperature

Tstg

-55

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

12

24

oC/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (c-s)

 

2

4

oC/kW

Mounting force

P

63

77

kN

Weight

W

-

g

* Superfícies de montagem suaves, planas e lubrificadas



Standard Rectifier YZPST-ZP5000A2000V


Standard Rectifier YZPST-ZP5000A2000V




Grupo de Produto : Dispositivos de disco semicondutor (tipo cápsula) > Diodo Retificador (Diodo Padrão)

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