YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Pacote de plástico semicondutor> Diodo de pacote de plástico> Diodo de barreira schottky de construção epitaxial 5.0AMP SBD
Diodo de barreira schottky de construção epitaxial 5.0AMP SBD
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Diodo de barreira schottky de construção epitaxial 5.0AMP SBD

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$0.0571000-9999 Piece/Pieces

$0.048≥10000Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:10000 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:Shanghai
Atributos do produto

ModeloYZPST-SB5100

marcaYZPST

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage100v

Maximum RMS Voltage70v

Maximum DC Blocking Voltage100v

Maximum Average Forward Rectified Current5a

Maximum DC Reverse Currentent200ua

At Rated DC Blocking Voltage20ma

Storage Temperature Range TSTG-65 +150℃

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Trança
Descrição do produto


YZPST-SB520 THRU SB5200

Diodo de barreira schottky de construção epitaxial 5.0AMP SBD

RECURSOS
Baixa queda de tensão direta
Capacidade de alta corrente
Alta fiabilidade
Capacidade de alta corrente de surto
Construção epitaxial
DADOS MECÂNICOS
Caixa: Plástico moldado
Epóxi: retardante de chama UL 94V-0
Chumbo: Chumbo axial, soldável de acordo com MIL-STD-202, método 208 garantido
Polaridade: a banda colorida indica a extremidade do cátodo
Posição de montagem: Qualquer
Peso: 1,00 gramas
Produtos normais e sem chumbo estão disponíveis:
Normal: 80 ~ 95% Sn, 5 ~ 20% Pb
Sem Pb: 99 Sn acima pode atender à solicitação de diretiva de substância ambiental de Rohs
YZPST-SB5100-1

ALCANCE DE VOLTAGEM
20 a 200 volts
ATUAL
5,0 amperes


CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS E CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
Classificação de temperatura ambiente de 25 C, exceto outras especificadas. Meia onda monofásica, 60 Hz, carga resistiva ou indutiva.
Para carga capacitiva, reduza a corrente em 20%.

TYPE NUMBER

SB520

SB540

SB540

SB580

SB5100

SB5150

SB5200

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum RMS Voltage

14

32

42

56

70

105

140

V

Maximum DC Blocking Voltage

20

40

60

80

100

150

200

V

Maximum Average Forward Rectified Current

See Fig. 1

 

5.0

 

A

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

 

150

 

A

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 5.0A

0.55

0.70

0.85

V

Maximum DC Reverse Current Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage Ta=100 C

200

20

uA

mA

Typical Junction Capacitance (Note1)

380

pF

Typical Thermal Resistance RqJA (Note 2)

10

C/W

Operating Temperature Range TJ

-65 +150

C

Storage Temperature Range TSTG

-65 +150

C


NOTAS:
1. Medida em 1 MHz e tensão reversa aplicada de 4,0 V DC
2. Junção de resistência térmica para montagem de placa de PC vertical ambiente 0,5 "(12,7 mm) de comprimento do cabo.





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