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diodo de alta tensão do avalanche da alta freqüência do diodo

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diodo de alta tensão do avalanche da alta freqüência do diodo

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Informação básica

Modelo: YZPST-2CL

Additional Info

produtividade: 1000

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: China

Habilidade da fonte: 10000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85411000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Diodo De Alta Tensão De Alta Freqüência

YZPST - 2CL

PST -2CL 500mA / 12KV

Características 1. Alta temperatura de junção até 130 ℃ 2. Baixa queda de tensão para a frente e pequeno vazamento de corrente

3. Proteção da avaria de avalanche 4. Excelentes propriedades contra o impacto de surto de alta tensão

5. Fios condutores axiais que são soldáveis 6. Pacote epóxi com propriedades anticorrosivas na superfície

Aplicação • Retificação para forno de micro-ondas • Fontes de alimentação de micro-ondas industriais • Fonte de raios X de alta frequência

• Fonte de alimentação de laser • Circuitos de multiplicação de tensão • Retificação de fontes de alimentação para outros dispositivos eletrônicos

1. Especificação principal

No.	Item	Symbol	Unit	Rating	Conditions
1	Repetitive Peak Reverse Voltage	VRRM	KV	12
2	Average Forward Current	IF (AV)	mA	500	Tamb=60 oC 50HZ Sine-half Wave Rectification Average Value
3	Forward Surge Current	IFSM	A	30	Tamb=25 oC 50HZ Sine-half Wave,One Shot
4	Reverse Surge Current	IRSM	μA	0.1	Pulse width 1ms triangle wave single pulse
5	Maximum Junction Temperature	Tjmax	oC	130
6	Storage Temperature	Tstg	oC	-40~+130

No.

Item

Symbol

Unit

Rating

Conditions

Repetitive Peak Reverse Voltage

VRRM

Average Forward Current

IF (AV)

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

Forward Surge Current

IFSM

Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

Reverse Surge Current

IRSM

μA

0.1

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

Maximum Junction Temperature

Tjmax

130

Storage Temperature

Tstg

-40~+130

2 Memória Descritiva l ectric

NO.	Item	Symbol	Unit	Rating	Test conditions
1	Forward Voltage Drop	VFM	V	25max	IFM=500mA
2	Normal Temperature Reverse Current	IRM1	μA	10max	VRM=12KV
3	High Temperature Reverse Current	IRM2	μA	10max	Tamb=100oC VRM=12KV
4	Reverse Breakdown Voltage	VZ	KV	12	IR=2A
5	Reverse Recovery Time	trr	nS	-	IF=2mA, IRM=4mA 90%

NO.

Item

Symbol

Unit

Rating

Test conditions

Forward Voltage Drop

VFM

25max

IFM=500mA

Normal Temperature Reverse Current

IRM1