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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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diodo de alta tensão do avalanche da alta freqüência do diodo

diodo de alta tensão do avalanche da alta freqüência do diodo

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Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-2CL

Additional Info

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85411000

    porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Diodo De Alta Tensão De Alta Freqüência

YZPST - 2CL

PST -2CL 500mA / 12KV

Características 1. Alta temperatura de junção até 130 ℃ 2. Baixa queda de tensão para a frente e pequeno vazamento de corrente

3. Proteção da avaria de avalanche 4. Excelentes propriedades contra o impacto de surto de alta tensão

5. Fios condutores axiais que são soldáveis 6. Pacote epóxi com propriedades anticorrosivas na superfície

Aplicação Retificação para forno de micro-ondas • Fontes de alimentação de micro-ondas industriais • Fonte de raios X de alta frequência

• Fonte de alimentação de laser • Circuitos de multiplicação de tensão • Retificação de fontes de alimentação para outros dispositivos eletrônicos

1. Especificação principal

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


    12



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

 30

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

 0.1

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130
















2 Memória Descritiva l ectric


 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  25max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

10max

VRM=12KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


10max

   Tamb=100oC

   VRM=12KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


    12

 

          IR=2A


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    -


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, salvo indicação em contrário)

3. Aplicação

Para retificação de alta tensão;

4. Derating de corrente para frente

YZPST - 2CL High Frequency High Voltage Diode

Grupo de Produto : Pacote de plástico semicondutor > Diodo De Embalagem De Plástico

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