YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Lista de Produto> Dispositivos de disco semicondutores (tipo de cápsula)> Tiristor de controle de fase.> Alto dV / dt Capacidade de tiristor de alta potência de 1600V para aplicações de controle de fase
Alto dV / dt Capacidade de tiristor de alta potência de 1600V para aplicações de controle de fase
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Alto dV / dt Capacidade de tiristor de alta potência de 1600V para aplicações de controle de fase
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Alto dV / dt Capacidade de tiristor de alta potência de 1600V para aplicações de controle de fase

$1651-9 Piece/Pieces

$125≥10Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:1 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:SHANGHAI
Atributos do produto

ModeloYZPST-R3559TD16K

marcaYZPST

Embalagem & Entrega
Unidades de venda : Piece/Pieces
Tipo de pacote : 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico
Baixar :
M2639ZC450 私域 截取 视频 10 秒 -2.54MB
Descrição do produto

Tiristor de alta potência para aplicativos de controle de fase

tiristor de alta potência YZPST-R3559TD16K

Recursos:

. Toda a estrutura difusa

. Configuração da porta de amplificação interdigitada

. Tempo máximo de desligamento garantido

. Alta capacidade dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

Estado de bloqueio - desativado

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3559TD16K

  1600

  1600

  1700

V RRM = tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Tensão no estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

20 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, a menos que

indicado de outra forma.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o

faixa de temperatura de -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. máx. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para linear e exponencial

formato de onda com 80% de classificação V DRM . Portão aberto.

Tj = 125 o C.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com

com padrão EIA / NIMA RS-397, seção

5-2-2-6. O valor definido estaria em adição

em relação ao obtido de um circuito amortecedor,

compreendendo um capacitor de 0,2 mF e 20 ohms

resistência em paralelo com o thristor sob

teste.

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3500

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  7000

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

42000

   

38000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

7.5x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

    1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.95

 

V

ITM = 5000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

      800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

      300

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

20

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

4

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

Tiristor de alta potência 1600V

tiristor para aplicações de controle de fase

Tiristor alto dV / dt


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