YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Tiristor de alta potência para aplicações de inversores
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Tiristor de alta potência para aplicações de inversores

Tiristor de alta potência para aplicações de inversores

$801-199 Piece/Pieces

$40≥200Piece/Pieces

Tipo de pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantidade de pedido mínimo:1 Piece/Pieces
transporte:Ocean,Air
porta:Shanghai
Atributos do produto

ModeloYZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

marcaYZPST

公域 R0929LC10 截取 视频 15 秒 -3,45M
公域 R0929LC10 截取 视频 14 秒 -3.18m
Descrição do produto

TIRISTOR DE ALTA POTÊNCIA PARA APLICAÇÕES DO INVERSOR

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)



Recursos do tiristor:

. Toda a estrutura difusa

. Configuração da porta de amplificação interdigitada

. Tempo máximo de desligamento garantido

. Alta capacidade dV / dt

. Dispositivo montado sob pressão

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES

Estado de bloqueio - desativado

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1000

1100

1200


V RRM = tensão reversa de pico repetitiva

V DRM = Tensão no estado de pico repetitivo

V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)

Notas:

Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.

(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para um

Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o

faixa de temperatura de -40 a +125 o C.

(2) 10 ms. máx. largura do pulso

(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.

(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial até 80% V DRM nominal. Portão aberto. Tj = 125 o C.

(5) Valor não repetitivo.

(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com a norma EIA / NIMA RS-397, seção 5-2-2-6. O valor definido seria adicional ao obtido a partir de um circuito ubber, compreendendo um capacitor de 0,2 mF e resistência de 20 ohms em paralelo com o thristor sob teste.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Condução - no estado

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

929

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1893

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

9.0

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

405x103

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.04

 

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1500

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

2

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3.0

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

Dinâmico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

2.0

-

 

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

 

-

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS E MECÂNICAS E CLASSIFICAÇÕES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

 

32

64

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

 

Weight

W

 

 

-

Kg

about

YZPST-R0929LC10-1





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