Tiristor de alta potência com alta capacidade de dV / dt 6500V
$1501-99 Piece/Pieces
$95≥100Piece/Pieces
Tipo de pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Quantidade de pedido mínimo: | 1 Piece/Pieces |
transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
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transporte: | Ocean,Air |
porta: | SHANGHAI |
Modelo: YZPST-KP894A-6500V
marca: YZPST
Unidades de venda | : | Piece/Pieces |
Tipo de pacote | : | 1. Embalagem anti-eletrostática 2. Caixa de papelão 3. Embalagem protetora de plástico |
Tiristor de alta potência para aplicativos de controle de fase
YZPST-KP894A-6500V
Recursos:
. Toda a estrutura difusa
. Configuração da porta de amplificação interdigitada v
. Tempo máximo de desligamento garantido
. Alta capacidade dV / dt
. Dispositivo montado sob pressão
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS E CLASSIFICAÇÕES
Estado de bloqueio - desativado
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
6500 |
6500 |
6600 |
V RRM = tensão reversa de pico repetitiva
V DRM = Tensão de estado de pico repetitivo
V RSM = Tensão reversa de pico não repetitiva (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 200 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Notas:
Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.
(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para um
Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o
faixa de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. máx. largura do pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial até 80% V DRM nominal . Portão aberto. Tj = 125 o C.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com com o padrão EIA / NIMA RS-397, seção 5-2-2-6. O valor definido seria, além de que a obtida a partir de um circuito ubber, compreendendo um 0,2 m M condensador e 20 ohmsresistance em paralelo com o thristor sob teste.
Notas:
Todas as classificações são especificadas para Tj = 25 o C, salvo indicação em contrário.
(1) Todas as classificações de tensão são especificadas para um
Forma de onda senoidal de 50Hz / 60zHz sobre o
faixa de temperatura -40 a +125 o C.
(2) 10 ms. máx. largura do pulso
(3) Valor máximo para Tj = 125 o C.
(4) Valor mínimo para forma de onda linear e exponencial até 80% V DRM nominal . Portão aberto. Tj = 125 o C.
(5) Valor não repetitivo.
(6) O valor de di / dt é estabelecido de acordo com com o padrão EIA / NIMA RS-397, seção 5-2-2-6. O valor definido seria, além de que a obtida a partir de um circuito ubber, compreendendo um 0,2 m M condensador e 20 ohmsresistance em paralelo com o thristor sob teste.
Condução - no estado
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
894 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=60oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1404 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
12 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
0.72x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
3000 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
300 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.4 |
|
V |
ITM = 1000 A ,Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
75 |
47 |
66 |
3.5×3 |
26±1 |
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