Diodo de Recuperação Rápida de Alta Potência

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Informação básica

Modelo: YZPST-SD233N/R

Additional Info

produtividade: 100

marca: YZPST

transporte: Ocean,Air

Lugar de origem: CHINA

Habilidade da fonte: 1000

Certificados : ISO9001-2008,ROHS

Código HS: 85411000

porta: SHANGHAI

Descrição do produto

Diodo de Recuperação Rápida de Alta Potência

DIODOS RÁPIDOS DA RECUPERAÇÃO, versão do parafuso prisioneiro

Características : Série de diodo de recuperação FAST de alta potência, 1,0 a 2,0 μs de tempo de recuperação, classificações de alta voltagem até 5000V, Capacidade de corrente elevada, por sua vez optimizadas e desligar características, Lo w recuperação para a frente, rápida e suave inversa recuperar, compressão encapsulamento ligado, Stud versão B-8, a temperatura máxima da junção 125 ° C

Aplicações típicas: Diodo de amortecimento para GTO, recuperação rápida, aplicações de retificador


High Power FAST Recovery Diode YZPST-SD233NR (1)

High Power FAST Recovery Diode


Condução para a frente


Parameters

PSTSD233N/R

Units

Conditions

IF(AV              Max. average forward current

 

@ Case temperature

250

A

180° conduction, half sine wave

60

°C

IF(RMX)           Max. RMS forward current

390

A

 

 

 

IFSM               Max. peak, one-cycle forward

 

non-repetitive surge current

5500

A

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

Initial TJ =TJmax.

5760

A

t = 8.3ms

I2t             Maximum I2t for fusing

150000

A2s

t = 10ms

No voltage

 

reapplied

140000

A2s

t = 8.3ms

I2t          Maximum I2t for fusing

 

1500000

KA2√s

I2t for time tx = I2t x tx ;

 

0.1 tx 10ms, VRRM = 0V

VFM                Maximum forward voltage drop

3.0

V

TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm)

IRRM               Max. DC reverse current

10.0

μA

TJ = 25 oC, per diode at VRRM

Trr

5

μs




Tabela de contornos


High Power FAST Recovery Diode


Grupo de Produto : Dispositivos de Semicondutor > Diodo do parafuso prisioneiro de recuperação rápida

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  • Diodo de Recuperação Rápida de Alta Potência
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