Diodo de Recuperação Rápida de Alta Potência
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Modelo: YZPST-SD233N/R
marca: YZPST
Diodo de Recuperação Rápida de Alta Potência
DIODOS RÁPIDOS DA RECUPERAÇÃO, versão do parafuso prisioneiro
Características : Série de diodo de recuperação FAST de alta potência, 1,0 a 2,0 μs de tempo de recuperação, classificações de alta voltagem até 5000V, Capacidade de corrente elevada, por sua vez optimizadas e desligar características, Lo w recuperação para a frente, rápida e suave inversa recuperar, compressão encapsulamento ligado, Stud versão B-8, a temperatura máxima da junção 125 ° C
Aplicações típicas: Diodo de amortecimento para GTO, recuperação rápida, aplicações de retificador
Condução para a frente
Parameters |
PSTSD233N/R |
Units |
Conditions |
||
IF(AV Max. average forward current
@ Case temperature |
250 |
A |
180° conduction, half sine wave |
||
60 |
°C |
||||
IF(RMX) Max. RMS forward current |
390 |
A |
|
|
|
IFSM Max. peak, one-cycle forward
non-repetitive surge current |
5500 |
A |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
Initial TJ =TJmax. |
5760 |
A |
t = 8.3ms |
|||
I2t Maximum I2t for fusing |
150000 |
A2s |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
|
140000 |
A2s |
t = 8.3ms |
|||
I2√t Maximum I2√t for fusing |
1500000 |
KA2√s |
I2t for time tx = I2√t x √tx ;
0.1 ≤ tx ≤ 10ms, VRRM = 0V |
||
VFM Maximum forward voltage drop |
3.0 |
V |
TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm) |
||
IRRM Max. DC reverse current |
10.0 |
μA |
TJ = 25 oC, per diode at VRRM |
||
Trr |
5 |
μs |
|
Tabela de contornos
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