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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diodo Do Parafuso De Recuperação Rápida 1800 V

Diodo Do Parafuso De Recuperação Rápida 1800 V

Tipo de pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Tempo de entrega: 30 dias
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Informação básica

    Modelo: YZPST-Z20A-ZK20A18

Additional Info

    produtividade: 1000

    marca: YZPST

    transporte: Ocean,Air

    Lugar de origem: China

    Habilidade da fonte: 10000

    Certificados : ISO9001-2008,ROHS

    Código HS: 85411000

    porta: Shanghai

Descrição do produto

Diodo Rápido de Bom Desempenho

YZPST-Z20A-ZK20A18

Os diodos de recuperação rápida também são comumente representados por símbolos gráficos de diodos comuns, seja em texto ou em tipo. Os diodos de recuperação rápida são semelhantes aos diodos comuns, mas o processo de fabricação é diferente dos tubos unipolares comuns. Junção PN é muito baixa para obter maior velocidade de comutação e menor queda de pressão para a frente.Seu tempo de recuperação reversa é 200 ~ 750 ns, alta velocidade até 10 ns.Comparado com diodo schottky, sua resistência à tensão é muito maior.É principalmente usado como um elemento retificador de alta velocidade, e como um diodo retificador na fonte de alimentação de comutação e fonte de alimentação do inversor, de modo a reduzir a perda, melhorar a eficiência e reduzir o ruído

Condução para a frente

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1800

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

1900

V

Max. average forward current

IF(AV)

20

A

Sinewave,180o conduction,Tc=100oC

Max. RMS forward current

IF(RMS)

33

A

Nominal value; Tc=100oC

Max. peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

IFSM

0.3

kA

10.0 msec (50Hz), half sinewave,

Tvj = Tvj max, VRM = 0.6VRRM

Maximum I2t for fusing

I2t

4.9

kA2s

Max. forward voltage drop

VF

2.15

V

IF = 650A; Tvj = Tvj max

Threshold voltage

VTO

1.1

V

IF < 500A

Slope resistance

rT

1.5

Especificações térmicas e mecânicas

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM

70

mA

Tvj = Tvj max

Operating temperature

Tj

-40

+140

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Maximum Reverse Recovery Time

Trr

2.2

μS

Reverse recovery charge

Qrr

870

μAc

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

0.26

oC/W

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

0.04

oC/W

Mounting force

P

20

Nm

± 20%

Weight

W

-

-

-

g

About

Case style

-

See Outline Table



Fast Recovery Diode Stud YZPST-Z20A-ZK20A18



Grupo de Produto : Dispositivos de Semicondutor > Diodo do parafuso prisioneiro de recuperação rápida

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